EpiGaN overgenomen door Franse Soitec

Soitec heeft een overeenkomst gesloten voor de overname van EpiGaN, leverancier van GaN epitaxiale wafer materialen, en verstevigt zijn positie op gebied van 5G, powerelektronica en sensoren

Trefwoorden: #EpiGaN, #overname, #Soitec

Lees verder

Techniek

( Foto: EpiGaN )

ENGINEERINGNET.BE - De GaN-producten van EpiGaN worden voornamelijk gebruikt in RF 5G, vermogenselektronica en sensortoepassingen en de totale markt van GaN-technologieën wordt op 500.000 tot 1 miljoen wafers per jaar geraamd binnen de vijf jaar.

Paul Boudre, CEO van Soitec: "GaN-technologie is erg in trek in de RF- en energiemarkt. GaN epi-wafers sluiten strategisch perfect aan bij ons huidige gamma engineered substraten.”

In mobiliteit is de co-optimalisering van prestaties, een laag energieverbruik en kosten van essentieel belang. Met de komst van 5G sub 6GHz en mmW ontstaan er nieuwe generaties basisstations die energiezuinigere, beter presterende, kleinere en goedkopere vermogensversterkers (PA) nodig hebben in vergelijking met 4G.

Soitec zal zijn substratenaanbod voor PA uitbreiden met GaN en het voortouw nemen in de kleinere, lichtere, efficiëntere en kosteneffectieve PA-ontwerpen van vandaag.

Daarnaast creëert deze overname ook nieuwe aanvullende groeimogelijkheden voor de bestaande Power-SOI-producten van Soitec en het gebruik van GaN in het ontwerp van vermogenstransistors.

Met deze overname is een bedrag gemoeid van 30 miljoen euro cash, aagevuld een extra earn-out-betaling na de voltooiing van bepaalde mijlpalen.