3D Xpoint van Intel en Microsoft 1000 keer sneller dan SSD’s

Intel en Micron hebben een volledig nieuwe opslagtechnologie aangekondigd, namelijk 3D XPoint. Deze techniek is naar verluidt 1000 keer sneller dan het bestaande NAND Flash geheugen.

Trefwoorden: #3D Xpoint, #intel, #microsoft, #NAND, #ssd

Lees verder

Techniek

( Foto: Intel )

ENGINEERINGNET.BE - De nieuwe technologie is een volledig nieuwe klasse van geheugen, die gebruikt kan worden als RAM en SSD tegelijkertijd. Ook is zowel de schrijf- als leessnelheid van het geheugen tot wel 1000 keer sneller dan die van bestaande NAND Flash geheugens gebruikt in SSD’s.

Wat verder nog grote ogen doet opzetten is de dichtheid van de 3D Xpoint. Deze is namelijk 10 keer groter dan bij bestaande technologieën, waardoor er veel meer data opgeslagen kan worden in dezelfde fysieke opslagruimte. Intel en Micron slagen er zelfs in deze verbeterde technologie aan te bieden zonder dat deze meer verbruikt of kost.

In het beginstadium zal de 3D XPoint gebruik maken van PCI Express (PCIe) om te connecteren met bestaande computers, aangezien dit de snelste technologie is. Deze standaardtechniek voor insteekkaarten in computers kan echter de snelheid van de 3D XPoint nog niet volledig aan, waardoor Intel en Micron nieuwe verbindingsmanieren zullen moeten zoeken en het moederbord van PC’s mogelijk volledig veranderd zal moeten worden.

Intel en Micron zijn momenteel bezig met de productie van de 3D XPoint en zal de technologie later dit jaar met een selecte groep klanten delen. Er wordt verwacht dat de nieuwe technologie beschikbaar zal zijn in de loop van volgend jaar. Momenteel zijn al wel meerdere details van de technologie bekend, welke hieronder staan beschreven.

Cross-point array-structuur
Loodrechte geleiders connecteren met niet minder dan 128 miljard geheugencellen. Elk van deze geheugencellen bewaart één bit aan data. Deze compacte structuur resulteert zowel in de eerder vermelde hoge performantie als hoge dichtheid.

Stapelbaar
De geheugencellen kunnen ook nog eens op elkaar gestapeld worden. De initiële technologie bewaart 128 Gb per die over twee geheugenlagen. In volgende generaties van de technologie kan het aantal geheugenlagen worden vermeerderd, waardoor de geheugencapaciteit drastisch wordt verbeterd.

Keuzeschakelaar
De geheugencellen worden gelezen of geschreven door de hoeveelheid spanning naar elke keuzeschakelaar te variëren. Hierdoor zijn er niet langer transistoren nodig, waardoor de capaciteit van het geheugen wordt verhoogd en de kost verminderd.

Snel-schakelende cel
Door de kleine celgrootte, snel schakelende keuzeschakelaar, cross-point array-structuur en snel-schrijvende algoritme, kan de cel erg snel wisselen tussen verschillende toestanden.


(bron: ZDNet, Dorien Vervoort)